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TOPCon SE激光摻雜設(shè)備

產(chǎn)品簡介

利用激光能量推動(dòng)硼原子在硅片內(nèi)擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極SE結(jié)構(gòu)。通過在金屬柵線與硅片接觸區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s、在正面其他區(qū)域保持輕摻雜，不僅可以在電極和發(fā)射極之間形成良好的歐姆接觸，還可以減少發(fā)射極表面少子的復(fù)合，從而獲得更高的短路電流、開路電壓和填充因子，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。

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產(chǎn)品特點(diǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域
技術(shù)指標(biāo)
應(yīng)用案例

產(chǎn)品特點(diǎn)

一次摻雜，工藝流程簡單，經(jīng)濟(jì)性好

F-T勻化整形技術(shù)，光斑能量分布均勻，表面損傷小

所有與硅片接觸部分均為非金屬材質(zhì)，降低污染影響，PL干凈

摻雜曲線可自由優(yōu)化，明顯提高光電轉(zhuǎn)換效率

高產(chǎn)能，高精度，高均勻性，高穩(wěn)定性

選配多種在線檢測(cè)功能，保障產(chǎn)品高良率

模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)客戶需求定制，兼容性強(qiáng)

應(yīng)用領(lǐng)域

TOPCon電池

技術(shù)指標(biāo)

適用硅片尺寸	182mm~230mm，兼容各類矩形片
適用硅片厚度	100-180μm
設(shè)備產(chǎn)能	≥9000pcs/h@182mm*182mm
圖形精度	≤±15μm@182mm
碎片率	≤0.02%@182mm*182mm
上下料方式	AGV雙層雙軌進(jìn)出或單層雙軌進(jìn)出
卡塞盒數(shù)量	5x2+1+1

應(yīng)用案例